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QLG5~300KV/5A 100~300nS高頻單相高壓全橋HVDIODE廠家生產正品
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產品描述
產品特點:
1、低反向漏電流，瞬態10ms正向浪涌電流保護；
2、耐沖擊電壓，具有雪崩電壓擊穿保護特性；
3、高耐熱性能，工作結溫-50℃—+175℃；
4、可選先進的高溫鈍化芯片封裝技術；
5、優良的持續放電性；
6、工藝環保，符合國際標準；
7、嚴格執行ISO9001國際質量管理體系把控產品品質；
8、新型模塑封裝技術，確保產品的耐潮濕性能，可承受嚴酷惡劣的使用環境；
9、高頻快速反應特性；
10、亦可根據需要設計定制客戶的專屬產品；
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極 限 值 Absolute Maximum Ratings |
參數名稱 Item |
符號 Symbol |
單位 Unit |
測試條件 Conditions |
數值 Voltage |
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反向重復峰值電壓 Repetitive Peak Backward Voltage |
Vrrm | KV | Ta=25℃ Ir=0.1μA | 5～300 | ||
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反向工作峰值電壓 Peak Working Backward Voltage |
Vrwm | KV | Ta=25℃ Ir=0.1μA | 5～300 | ||
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正向平均電流 Average Forward Current |
If(AV) | A |
正弦半波50Hz，電阻負載，Tbreak=50℃ （50Hz Half-sine Wave , Resistance load @Tbreak=50℃） |
5 | ||
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反向恢復時間 Backward Recovery Time |
Trr | nS | 100～300 | |||
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正向(不重復)浪涌電流 Surge Forward Current |
Ifsm | A |
正弦半波持續時間0.01S 50Hz 0.01S @ Half-Sine wave 50Hz |
200 | ||
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工作環境溫度 Operating Ambient Temperature |
Ta | ℃ | -50～+150 | |||
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存貯溫度 Storage Temperature |
Tstg | ℃ | -40～+120 | |||
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電 特 性 Electrical Characteristics |
正向峰值電壓 Forward Peak Voltage |
Vfm | V | ≥7.5～450 | ||
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反向峰值電流 Backward Peak Current |
Irrm1 | μA | @ Ta=25℃ VRM=VRRM | 5.0 | ||
| Irrm2 | μA | @ Ta=100℃ VRM=VRRM | 50.0 | |||